Tranzisztor P-MOSFET 60V 1.1A8.8Ap 1.3W 0.5R (0.8A) DIP-4 IRFD9014  IRFD9014Tranzisztor P-MOSFET 60V 1.1A8.8Ap 1.3W 0.5R (0.8A) DIP-4 IRFD9014  IRFD9014Tranzisztor P-MOSFET 60V 1.1A8.8Ap 1.3W 0.5R (0.8A) DIP-4 IRFD9014  IRFD9014Tranzisztor P-MOSFET 60V 1.1A8.8Ap 1.3W 0.5R (0.8A) DIP-4 IRFD9014  IRFD9014

Tranzisztor P-MOSFET 60V 1.1A8.8Ap 1.3W 0.5R (0.8A) DIP-4 IRFD9014

Cikkszám
IRFD9014
Van raktáron
Nettó ár:
246,35 Ft
Bruttó ár:
312,86 Ft
db
Összehasonlítás
Tulajdonságok

C (in)

270 pF

C (out)

170 pF

Csatorna típus

P

Csomagolási egység

100 db

Csomagolás

műanyag cső

DB/tokozás

1 db

Dioda Trr(Min.)

80 ns

D-S védelem

zener

FET típusa

FET

Funkció

MOS-P-FET-e

G-S védelem

nincs

Gyártó

International Rectifier

Gyártói rendelési szám

IRFD9014PBF

Id(imp)

8,8 A

Id(T=100)

0,8 A

Id(T=25)

1,1 A

Idss (max)

500 uA

Idss (min)

100 uA

Láb szám

4 db

Pd

1,3 W

Rds(on)

0,5 Ohm

td(off)

10 ns

td(on)

11 ns

Technológia

HEXFET POWER MOSFET

Tokozás

DIP

Tokozás (adatlap szerint)

DH-1 house, DIP-4

Üzemi hőmérséklet

-55...+175 °C

Vds(max)

60 V

Vgs

20 V

Vgs(th) min.

2 V

RoHS

igen

Szerelés

furatszerelt ( THT )