Tranzisztor N-MOSFET SMD 55V 80A/320Ap 190W 0.0076R (80A) TO263 IPB80N06S2-09 IPB80N06S2-09

Tranzisztor N-MOSFET SMD 55V 80A/320Ap 190W 0.0076R (80A) TO263 IPB80N06S2-09

Cikkszám

IPB80N06S2-09

Van raktáron

Nettó ár:

624,21 Ft

Bruttó ár:

792,75 Ft

db

Összehasonlítás

Tulajdonságok

C (in)

2360 pF

C (out)

610 pF

Csatorna típus

N

DB/tokozás

1 db

Dioda Trr(Min.)

50 ns

D-S védelem

van

FET típusa

MOSFET

Funkció

Automotive AEC Q101 qualified

G-S védelem

nincs

Gyártó

Infineon Technologies

Gyártói rendelési szám

SP0002-18741

Id(imp)

320 A

Id(T=100)

80 A

Id(T=25)

80 A

Idss (max)

100 uA

Idss (min)

0,01 uA

Jelzés a tokon

2N0609

Láb szám

2 db

Pd

190 W

Rds(on)

7,6 mOhm

Spec.info

Ultra low Rds(on)

td(off)

39 ns

td(on)

14 ns

Technológia

Opti Mos POWER trafnsistor

Tokozás

D2PAK ( TO-263 )

Tokozás (adatlap szerint)

D2PAK ( TO-263 )

Üzemi hőmérséklet

-55...+175 °C

Vds(max)

55 V

Vgs

20 V

Vgs(th) max.

4 V

Vgs(th) min.

2,1 V

RoHS

igen

Szerelés

felületszerelt ( SMD )