Tranzisztor N-MOSFET 1200V 97A/207Ap 382W 0.017R (69A) IMZC120R017M2HXKSA1 IMZC120R017M2H

Tranzisztor N-MOSFET 1200V 97A/207Ap 382W 0.017R (69A) IMZC120R017M2HXKSA1 IMZC120R017M2H

Tranzisztor N-MOSFET 1200V 97A/207Ap 382W 0.017R (69A) IMZC120R017M2HXKSA1

Cikkszám

IMZC120R017M2H

Van raktáron

Nettó ár:

6 218,00 Ft

Bruttó ár:

7 896,86 Ft

db

Összehasonlítás

Tulajdonságok

C (in)

2910 pF

C (out)

126 pF

Csatorna típus

N

DB/tokozás

1

D-S védelem

van

FET típusa

MOSFET

Funkció

EV Charging, Online UPS, Industrial UPS, String inverter, Energy Storage Systems (ESS)

G-S védelem

nincs

Gyártó

Infineon Technologies

Gyártói rendelési szám

IMZC120R017M2HXKSA1

Id(imp)

207 A

Id(T=100)

69 A

Id(T=25)

97 A

Idss (max)

350 uA

Idss (min)

6 uA

Jelzés a tokon

12M2H017

Láb szám

4 db

Pd

382 W

Rds(on)

0,017 Ohm

td(off)

21,2 nS

td(on)

10 ns

Technológia

MOSFET – SiC Power, Single N-Channel

Tokozás

TO-247

Tokozás (adatlap szerint)

PG-TO247-4-U07

Üzemi hőmérséklet

-55...+150 °C

Vds(max)

1200 V

Vgs

10...25V transient Voltage, 7...23V static voltage

Vgs(th) max.

5,1 V

Vgs(th) min.

3,5 V

Szerelés

furatszerelt ( THT )