1. Összes termék
  2. Félvezetők
  3. Tranzisztorok
  4. Tranzisztorok (FET)
  5. Tranzisztor N-MOSFET 100V 1.3A/10Ap 1.3W 0.27R (0.94A) DIP IRFD123
Kifutó
Tranzisztor N-MOSFET 100V 1.3A/10Ap 1.3W 0.27R (0.94A) DIP IRFD123 IRFD123Tranzisztor N-MOSFET 100V 1.3A/10Ap 1.3W 0.27R (0.94A) DIP IRFD123 IRFD123Tranzisztor N-MOSFET 100V 1.3A/10Ap 1.3W 0.27R (0.94A) DIP IRFD123 IRFD123
Kifutó

Tranzisztor N-MOSFET 100V 1.3A/10Ap 1.3W 0.27R (0.94A) DIP IRFD123

Cikkszám
IRFD123
Van raktáron
Nettó ár:
194,96 Ft
Bruttó ár:
247,60 Ft
db
Összehasonlítás
Tulajdonságok

C (in)

360 pF

C (out)

150 pF

Csatorna típus

N

DB/tokozás

1

Dioda Trr(Min.)

130 ns

D-S védelem

van

FET típusa

MOSFET

G-S védelem

nincs

Gyártó

VISHAY

Gyártói rendelési szám

IRFD123PBF

Id(imp)

10 A

Id(T=100)

0,94 A

Id(T=25)

1,3 A

Idss (max)

250 uA

Idss (min)

25 uA

Láb szám

4 db

Pd

1,3 W

Rds(on)

0,27 Ohm

td(off)

18 ns

td(on)

6,8 ns

Technológia

HEXFET Power MOSFET

Tokozás

DIP

Tokozás (adatlap szerint)

DH-1 house, DIP-4

Üzemi hőmérséklet

-55...+175 °C

Vds(max)

100 V

Vgs

20 V

Vgs(th) max.

4 V

Vgs(th) min.

2 V

RoHS

igen

Szerelés

furatszerelt ( THT )