1. Összes termék
  2. Félvezetők
  3. Tranzisztorok
  4. Tranzisztorok (FET)
  5. Tranzisztor N-MOSFET 100V 1A/8Ap 1.3W 0.54R (0.71A) DIP IRFD110
Tranzisztor N-MOSFET 100V 1A/8Ap 1.3W 0.54R (0.71A) DIP IRFD110 IRFD110Tranzisztor N-MOSFET 100V 1A/8Ap 1.3W 0.54R (0.71A) DIP IRFD110 IRFD110Tranzisztor N-MOSFET 100V 1A/8Ap 1.3W 0.54R (0.71A) DIP IRFD110 IRFD110

Tranzisztor N-MOSFET 100V 1A/8Ap 1.3W 0.54R (0.71A) DIP IRFD110

Cikkszám
IRFD110
Van raktáron
Nettó ár:
196,26 Ft
Bruttó ár:
249,25 Ft
db
Összehasonlítás
Tulajdonságok

C (in)

180 pF

C (out)

81 pF

Csatorna típus

N

DB/tokozás

1 db

Dioda Trr(Min.)

100 ns

D-S védelem

van

FET típusa

MOSFET

G-S védelem

nincs

Gyártó

International Rectifier

Gyártói rendelési szám

IRFD110PBF

Id(imp)

8 A

Id(T=100)

0,71 A

Id(T=25)

1 A

Idss (max)

250 uA

Idss (min)

25 uA

Láb szám

4 db

Pd

1,3 W

Rds(on)

0,54 Ohm

td(off)

15 ns

td(on)

6,9 ns

Technológia

HEXFET POWER MOSFET

Tokozás

DIP

Tokozás (adatlap szerint)

DH-1 house, DIP-4

Üzemi hőmérséklet

-55...+175 °C

Vds(max)

100 V

Vgs

20 V

Vgs(th) max.

4 V

Vgs(th) min.

2 V

RoHS

igen

Szerelés

furatszerelt ( THT )