Tranzisztor N-MOSFET SMD 100V 80A/320Ap 260W 0.012R (57A) IRF8010S  IRF8010STranzisztor N-MOSFET SMD 100V 80A/320Ap 260W 0.012R (57A) IRF8010S  IRF8010STranzisztor N-MOSFET SMD 100V 80A/320Ap 260W 0.012R (57A) IRF8010S  IRF8010S

Tranzisztor N-MOSFET SMD 100V 80A/320Ap 260W 0.012R (57A) IRF8010S

Cikkszám
IRF8010S
Van raktáron
Nettó ár:
585,76 Ft
Bruttó ár:
743,92 Ft
db
Összehasonlítás
Tulajdonságok

C (in)

3850 pF

C (out)

480 pF

Csatorna típus

N

Csomagolási egység

50 db

Csomagolás

műanyag cső

DB/tokozás

1 db

Dioda Trr(Min.)

99 ns

D-S védelem

zener

FET típusa

MOSFET

Funkció

High frequency DC-DC converters

G-S védelem

nincs

Gyártó

International Rectifier

Gyártói rendelési szám

IRF8010SPBF

Id(imp)

320 A

Id(T=100)

57 A

Id(T=25)

80 A

Idss (max)

250 uA

Idss (min)

20 uA

IGF

--

Láb szám

2 db

Pd

260 W

Rds(on)

12 mOhm

td(off)

61 ns

td(on)

15 ns

Technológia

HEXFET Power MOSFET

Tokozás

D2PAK ( TO-263 )

Tokozás (adatlap szerint)

D2PAK ( TO-263 )

Üzemi hőmérséklet

-55...+175 °C

Vds(max)

100 V

Vgs

20 V

VGS(off) min.

--

Vgs(th) max.

4 V

Vgs(th) min.

2 V

RoHS

igen

Szerelés

felületszerelt ( SMD )