1. Összes termék
  2. Félvezetők
  3. Tranzisztorok
  4. Tranzisztorok (FET)
  5. Tranzisztor P-MOSFET 180V 10A 120W NF-E 2SJ200
Kifutó
Tranzisztor P-MOSFET 180V 10A 120W NF-E 2SJ200 2SJ200
Kifutó

Tranzisztor P-MOSFET 180V 10A 120W NF-E 2SJ200

Cikkszám
2SJ200
Nem rendelhető
Összehasonlítás
Tulajdonságok

C (in)

1300 pF

C (out)

350 pF

Csatorna típus

P

DB/tokozás

1

D-S védelem

nincs

FET típusa

MOSFET

Funkció

High Power Amplifier Application

G-S védelem

nincs

Gyártó

TOSHIBA

Id(T=25)

10 A

Idss (max)

1 mA

Idss (min)

-

Jelzés a tokon

J200

Láb szám

3 db

Pd

120 W

Spec.info

Párja: 2SK1529

Technológia

Field Effect Silicon N-Channel MOS Type

Tokozás

TO-3P ( TO-218 SOT-93 )

Tokozás (adatlap szerint)

2-16C1B

Üzemi hőmérséklet

-55...+150 °C

Vds(max)

180 V

Vgs

20 V

VGS(off) max.

2,8 V

VGS(off) min.

0,8 V

RoHS

igen

Szerelés

furatszerelt ( THT )