1. Összes termék
  2. Félvezetők
  3. Tranzisztorok
  4. IGBT Modulok
  5. GT30J324 N-IGBT 600V+D 30A/60Ap 170W Vce(sat)2.45V
GT30J324 N-IGBT 600V+D 30A/60Ap 170W Vce(sat)2.45V GT30J324

GT30J324 N-IGBT 600V+D 30A/60Ap 170W Vce(sat)2.45V

Cikkszám
GT30J324
Van raktáron
Nettó ár:
999,04 Ft
Bruttó ár:
1 268,78 Ft
db
Összehasonlítás
Tulajdonságok

C (in)

4650 pF

C-E dióda

van

Csatorna típus

N

Funkció

High Power Switching Applications

G-E Dióda

nincs

Gyártó

TOSHIBA

Gyártói rendelési szám

GT30J324

Ic

30 A

Ic(puls)

60 A

Ic(T=100°C)

--

Jelzés a tokon

--

Láb szám

3 db

Max. hőmérséklet

+150 °C

Pd

170 W

Spec.info

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs

td(off)

0,3 ns

td(on)

0,09 ns

Tokozás

TO-3PN ( 2-16C1B )

Tokozás (adatlap szerint)

TO-3P

Üzemi hőmérséklet

--

VCE(sat)

2 V

VCE(sat)max.

2,45 V

Vceo

600 V

VGE

20 V

VGE(th) min.

3,5 V

VGE(th)max.

6,5 V

RoHS

igen

Szerelés

furatszerelt ( THT )