1. Összes termék
  2. Félvezetők
  3. Tranzisztorok
  4. IGBT Modulok
  5. GT30J322 N-IGBT+D 600V 30A/100Ap 75W Vce(sat)2.1V
GT30J322 N-IGBT+D 600V 30A/100Ap 75W Vce(sat)2.1V GT30J322

GT30J322 N-IGBT+D 600V 30A/100Ap 75W Vce(sat)2.1V

Cikkszám
GT30J322
Van raktáron
Nettó ár:
1 692,18 Ft
Bruttó ár:
2 149,07 Ft
db
Összehasonlítás
Tulajdonságok

C-E dióda

van

Csatorna típus

N

Funkció

Current Resonance Inverter Switching

G-E Dióda

nincs

Gyártó

TOSHIBA

Ic

30 A

Ic(puls)

100 A

Jelzés a tokon

--

Láb szám

3 db

Pd

75 W

Spec.info

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs

td(off)

400 ns

td(on)

30 ns

Tokozás

TO-3P ( TO-218 SOT-93 )

Tokozás (adatlap szerint)

TO-3P( GCE )

Üzemi hőmérséklet

-40...+150 °C

VCE(sat)

2,1 V

VCE(sat)max.

2,1 V

Vceo

600 V

VGE

--

VGE(th) min.

--

VGE(th)max.

--

RoHS

igen

Szerelés

furatszerelt ( THT )